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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › STH110N7F6-2
STH110N7F6-2

STH110N7F6-2 - STMicroelectronics

Artikelnummer
STH110N7F6-2
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
STH110N7F6-2 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
57554 pcs
Referenzpreis
USD 0.462/pcs
Unser Preis
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STH110N7F6-2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer STH110N7F6-2
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 68V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5850pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 176W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 6.3 mOhm @ 55A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket H2Pak-2
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht -
Ursprungsland -

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