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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › STH110N7F6-2
STH110N7F6-2

STH110N7F6-2 - STMicroelectronics

Numero di parte
STH110N7F6-2
fabbricante
STMicroelectronics
Breve descrizione
MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
STH110N7F6-2 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
57050 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.462/pcs
Il nostro prezzo
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STH110N7F6-2 Descrizione dettagliata

Numero di parte STH110N7F6-2
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 68V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5850pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3 mOhm @ 55A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore H2Pak-2
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
Paese d'origine -

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