STH130N10F3-2 - STMicroelectronics

Artikelnummer	STH130N10F3-2
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	57nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3305pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	250W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	9.3 mOhm @ 60A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	H²PAK
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
STH13009	STMicroelectronics	TRANS NPN 400V 12A TO-220	Einzelheiten
STH130N10F3-2	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2	Einzelheiten
STH130N8F7-2	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2	Einzelheiten
STH13NB60FI	ST	STH13NB60FI ST TO247 New Original Stocks	Einzelheiten