STH130N10F3-2

STH130N10F3-2 - STMicroelectronics

Numéro d'article
STH130N10F3-2
Fabricant
STMicroelectronics
Brève description
MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
12761 pcs
Prix ​​de référence
USD 2.0636/pcs
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STH130N10F3-2 Description détaillée

Numéro d'article STH130N10F3-2
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3305pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3 mOhm @ 60A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur H²PAK
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Poids -
Pays d'origine -

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