STH12N120K5-2 - STMicroelectronics

Número de pieza: STH12N120K5-2
Fabricante: STMicroelectronics
Breve descripción: MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Cantidad de stock: 4218 pcs
Precio de referencia: USD 6.188/pcs
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Número de pieza	STH12N120K5-2
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	12A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	44.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1370pF @ 100V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	690 mOhm @ 6A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	H2Pak-2
Paquete / caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Peso	-
País de origen	-