STH12N120K5-2

STH12N120K5-2 - STMicroelectronics

Numéro d'article
STH12N120K5-2
Fabricant
STMicroelectronics
Brève description
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4349 pcs
Prix ​​de référence
USD 6.188/pcs
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STH12N120K5-2 Description détaillée

Numéro d'article STH12N120K5-2
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 1200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 44.2nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1370pF @ 100V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690 mOhm @ 6A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur H2Pak-2
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Poids -
Pays d'origine -

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