STH12N120K5-2 - STMicroelectronics

Numéro d'article	STH12N120K5-2
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	1200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	44.2nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1370pF @ 100V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	690 mOhm @ 6A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	H2Pak-2
Paquet / cas	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Poids	-
Pays d'origine	-