| Artikelnummer | PMPB55XNEAX |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 72 mOhm @ 3.8A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 255pF @ 15V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 550mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-DFN2020MD (2x2) |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
PMPB100ENEAX | Nexperia USA Inc. | PMPB100ENEA/SOT1220/SOT1220 | Einzelheiten |
|
PMPB100ENEX | Nexperia USA Inc. | PMPB100ENE/SOT1220/SOT1220 | Einzelheiten |
|
PMPB100XPEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DFN2020MD | Einzelheiten |
.jpg "PMPB10XNE,115") |
PMPB10XNE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN | Einzelheiten |
|
PMPB10XNEAX | Nexperia USA Inc. | PMPB10XNEA/SOT1220/SOT1220 | Einzelheiten |
|
PMPB10XNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SOT1220 | Einzelheiten |
|
PMPB11EN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN | Einzelheiten |
|
PMPB12UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN | Einzelheiten |
|
PMPB12UNEAX | Nexperia USA Inc. | PMPB12UNEA/SOT1220/SOT1220 | Einzelheiten |
|
PMPB12UNEX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SOT1220 | Einzelheiten |
