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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APTGT35H120T1G
APTGT35H120T1G

APTGT35H120T1G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTGT35H120T1G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APTGT35H120T1G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
APTGT35H120T1G.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3713 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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APTGT35H120T1G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTGT35H120T1G
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Full Bridge Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 55A
Leistung max 208W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 35A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.5nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP1
Lieferantengerätepaket SP1
Gewicht -
Ursprungsland -

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