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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APTGT100A602G
APTGT100A602G

APTGT100A602G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTGT100A602G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
MOD IGBT 600V 150A SP2
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APTGT100A602G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
728 pcs
Referenzpreis
USD 35.5518/pcs
Unser Preis
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APTGT100A602G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTGT100A602G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 150A
Leistung max 340W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.1nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall SP2
Lieferantengerätepaket SP2
Gewicht -
Ursprungsland -

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