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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APTGT100BB60T3G
APTGT100BB60T3G

APTGT100BB60T3G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTGT100BB60T3G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
POWER MOD IGBT3 BOOST BUCK SP3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APTGT100BB60T3G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
17 pcs
Referenzpreis
USD 60.9/pcs
Unser Preis
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APTGT100BB60T3G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTGT100BB60T3G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 150A
Leistung max 340W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.1nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall SP3
Lieferantengerätepaket SP3
Gewicht -
Ursprungsland -

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