APTGT35H120T1G - Microsemi Corporation

номер части	APTGT35H120T1G
Статус детали	Obsolete
Тип IGBT	Trench Field Stop
конфигурация	Full Bridge Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	55A
Мощность - макс.	208W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 35A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce	2.5nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	Yes
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	SP1
Пакет устройств поставщика	SP1
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
APTGT100A1202G	Microsemi Corporation	MOD IGBT 1200V 140A SP2	подробности
APTGT100A120D1G	Microsemi Corporation	IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1	подробности
APTGT100A120T3AG	Microsemi Corporation	MOD IGBT 1200V 140A SP3	подробности
APTGT100A120TG	Microsemi Corporation	IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4	подробности
APTGT100A170D1G	Microsemi Corporation	IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1	подробности
APTGT100A170TG	Microsemi Corporation	POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4	подробности
APTGT100A602G	Microsemi Corporation	MOD IGBT 600V 150A SP2	подробности
APTGT100A60T1G	Microsemi Corporation	IGBT PHASE LEG 600V 150A SP1	подробности
APTGT100A60TG	Microsemi Corporation	IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4	подробности
APTGT100BB60T3G	Microsemi Corporation	POWER MOD IGBT3 BOOST BUCK SP3	подробности