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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Moduli › APTGT35H120T1G
APTGT35H120T1G

APTGT35H120T1G - Microsemi Corporation

Numero di parte
APTGT35H120T1G
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
APTGT35H120T1G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
APTGT35H120T1G.pdf
Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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APTGT35H120T1G Descrizione dettagliata

Numero di parte APTGT35H120T1G
Stato parte Obsolete
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Full Bridge Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 55A
Potenza - Max 208W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 35A
Corrente - Limite del collettore (max) 250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 2.5nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP1
Pacchetto dispositivo fornitore SP1
Peso -
Paese d'origine -

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