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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Moduli › APTGT100A120D1G
APTGT100A120D1G

APTGT100A120D1G - Microsemi Corporation

Numero di parte
APTGT100A120D1G
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
APTGT100A120D1G Navigazione online PDF
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-
Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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APTGT100A120D1G Descrizione dettagliata

Numero di parte APTGT100A120D1G
Stato parte Obsolete
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 150A
Potenza - Max 520W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
Corrente - Limite del collettore (max) 3mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 7nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso D1
Pacchetto dispositivo fornitore D1
Peso -
Paese d'origine -

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