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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › APTGT100A120D1G
APTGT100A120D1G

APTGT100A120D1G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APTGT100A120D1G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
APTGT100A120D1G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4171 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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APTGT100A120D1G Description détaillée

Numéro d'article APTGT100A120D1G
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 150A
Puissance - Max 520W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 3mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 7nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas D1
Package de périphérique fournisseur D1
Poids -
Pays d'origine -

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