APTGT35H120T1G

APTGT35H120T1G - Microsemi Corporation

Número de pieza
APTGT35H120T1G
Fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - IGBT - Módulos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4332 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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APTGT35H120T1G Descripción detallada

Número de pieza APTGT35H120T1G
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de IGBT Trench Field Stop
Configuración Full Bridge Inverter
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 55A
Potencia - Max 208W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 35A
Corriente - corte de colector (máximo) 250µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 2.5nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC Yes
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja SP1
Paquete de dispositivo del proveedor SP1
Peso -
País de origen -

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