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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › APT94N65B2C6
APT94N65B2C6

APT94N65B2C6 - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APT94N65B2C6
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APT94N65B2C6 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
895 pcs
Referenzpreis
USD 22.86/pcs
Unser Preis
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APT94N65B2C6 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APT94N65B2C6
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 95A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 3.5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 320nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8140pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft Super Junction
Verlustleistung (Max) 833W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 35.2A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket T-MAX™ [B2]
Paket / Fall TO-247-3 Variant
Gewicht -
Ursprungsland -

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