| Artikelnummer | APT94N65B2C6 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 95A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3.5mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 320nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8140pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | Super Junction |
| Verlustleistung (Max) | 833W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 35.2A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | T-MAX™ [B2] |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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APT90DR160HJ | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 1.6V SOT227 | Einzelheiten |
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APT94N60L2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 94A TO264 | Einzelheiten |
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APT94N65B2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 | Einzelheiten |
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APT94N65B2C6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX | Einzelheiten |
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APT95GR65B2 | Microsemi Corporation | IGBT 650V 208A 892W T-MAX | Einzelheiten |
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APT95GR65JDU60 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Einzelheiten |
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APT97N65LC6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 | Einzelheiten |
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APT9F100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | Einzelheiten |
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APT9F100S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK | Einzelheiten |
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APT9M100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | Einzelheiten |
