APT94N65B2C6 - Microsemi Corporation

номер части	APT94N65B2C6
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	95A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 3.5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	320nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	8140pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	Super Junction
Рассеиваемая мощность (макс.)	833W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 35.2A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	T-MAX™ [B2]
Упаковка / чехол	TO-247-3 Variant
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
APT90DR160HJ	Microsemi Corporation	DIODE MODULE 1.6V SOT227	подробности
APT94N60L2C3G	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 94A TO264	подробности
APT94N65B2C3G	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 650V 94A TO-247	подробности
APT94N65B2C6	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX	подробности
APT95GR65B2	Microsemi Corporation	IGBT 650V 208A 892W T-MAX	подробности
APT95GR65JDU60	Microsemi Corporation	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO	подробности
APT97N65LC6	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 650V 97A TO-264	подробности
APT9F100B	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247	подробности
APT9F100S	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK	подробности
APT9M100B	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247	подробности