| номер части | APT97N65LC6 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 650V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 97A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 2.96mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 7650pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 862W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 48.5A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | TO-264 [L] |
| Упаковка / чехол | TO-264-3, TO-264AA |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
APT90DR160HJ | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 1.6V SOT227 | подробности |
 |
APT94N60L2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 94A TO264 | подробности |
 |
APT94N65B2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 | подробности |
|
APT94N65B2C6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX | подробности |
 |
APT95GR65B2 | Microsemi Corporation | IGBT 650V 208A 892W T-MAX | подробности |
|
APT95GR65JDU60 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | подробности |
|
APT97N65LC6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 | подробности |
|
APT9F100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | подробности |
 |
APT9F100S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK | подробности |
|
APT9M100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | подробности |
