| Número de pieza | APT94N65B2C6 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 95A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3.5mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 320nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8140pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | Super Junction |
| Disipación de potencia (Máx) | 833W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 35.2A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | T-MAX™ [B2] |
| Paquete / caja | TO-247-3 Variant |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
APT90DR160HJ | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 1.6V SOT227 | Detalles |
 |
APT94N60L2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 94A TO264 | Detalles |
|
APT94N65B2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 | Detalles |
|
APT94N65B2C6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX | Detalles |
 |
APT95GR65B2 | Microsemi Corporation | IGBT 650V 208A 892W T-MAX | Detalles |
 |
APT95GR65JDU60 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Detalles |
|
APT97N65LC6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 | Detalles |
|
APT9F100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | Detalles |
 |
APT9F100S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK | Detalles |
|
APT9M100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | Detalles |
