| Número de pieza | APT95GR65B2 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de IGBT | NPT |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 650V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 208A |
| Corriente - colector pulsado (Icm) | 400A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 95A |
| Potencia - Max | 892W |
| Conmutación de energía | 3.12mJ (on), 2.55mJ (off) |
| Tipo de entrada | Standard |
| Cargo de puerta | 420nC |
| Td (encendido / apagado) a 25 ° C | 29ns/226ns |
| Condición de prueba | 433V, 95A, 4.3 Ohm, 15V |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | T-MAX™ [B2] |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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APT90DR160HJ | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 1.6V SOT227 | Detalles |
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APT94N60L2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 94A TO264 | Detalles |
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APT94N65B2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 | Detalles |
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APT94N65B2C6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX | Detalles |
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APT95GR65B2 | Microsemi Corporation | IGBT 650V 208A 892W T-MAX | Detalles |
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APT95GR65JDU60 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Detalles |
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APT97N65LC6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 | Detalles |
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APT9F100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | Detalles |
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APT9F100S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK | Detalles |
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APT9M100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | Detalles |
