| Numero di parte | APT95GR65B2 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 208A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 400A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 95A |
| Potenza - Max | 892W |
| Cambiare energia | 3.12mJ (on), 2.55mJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 420nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 29ns/226ns |
| Condizione di test | 433V, 95A, 4.3 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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APT90DR160HJ | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 1.6V SOT227 | Dettagli |
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APT94N60L2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 94A TO264 | Dettagli |
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APT94N65B2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 | Dettagli |
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APT94N65B2C6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX | Dettagli |
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APT95GR65B2 | Microsemi Corporation | IGBT 650V 208A 892W T-MAX | Dettagli |
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APT95GR65JDU60 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Dettagli |
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APT97N65LC6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 | Dettagli |
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APT9F100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | Dettagli |
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APT9F100S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK | Dettagli |
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APT9M100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | Dettagli |
