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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › APT9M100B
APT9M100B

APT9M100B - Microsemi Corporation

Numero di parte
APT9M100B
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
APT9M100B Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
5041 pcs
Prezzo di riferimento
USD 5.0723/pcs
Il nostro prezzo
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APT9M100B Descrizione dettagliata

Numero di parte APT9M100B
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2605pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 335W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 [B]
Pacchetto / caso TO-247-3
Peso -
Paese d'origine -

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