APT9M100B

APT9M100B - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APT9M100B
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
5332 pcs
Prix ​​de référence
USD 5.0723/pcs
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APT9M100B Description détaillée

Numéro d'article APT9M100B
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 1000V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2605pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 335W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 5A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-247 [B]
Paquet / cas TO-247-3
Poids -
Pays d'origine -

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