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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › APT9M100B
APT9M100B

APT9M100B - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APT9M100B
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APT9M100B PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4984 pcs
Referenzpreis
USD 5.0723/pcs
Unser Preis
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APT9M100B detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APT9M100B
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1000V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2605pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 335W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 [B]
Paket / Fall TO-247-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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