Numero di parte | APT9F100S |
---|---|
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2606pF @ 25V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 337W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 5A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D3Pak |
Pacchetto / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Peso | - |
Paese d'origine | - |