APT9F100S

APT9F100S - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APT9F100S
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3551 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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APT9F100S detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APT9F100S
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1000V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2606pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 337W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D3Pak
Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gewicht -
Ursprungsland -

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