BSZ065N03LSATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer	BSZ065N03LSATMA1
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	12A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	670pF @ 15V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2.1W (Ta), 26W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PG-TSDSON-8-FL
Paket / Fall	8-PowerTDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BSZ065N03LS	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8	Einzelheiten
BSZ065N03LSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8	Einzelheiten
BSZ065N06LS5ATMA1	Infineon Technologies	MV POWER MOS	Einzelheiten