BSZ065N03LSATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte	BSZ065N03LSATMA1
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	670pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.1W (Ta), 26W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TSDSON-8-FL
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
BSZ065N03LS	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8	Dettagli
BSZ065N03LSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8	Dettagli
BSZ065N06LS5ATMA1	Infineon Technologies	MV POWER MOS	Dettagli