BSZ065N06LS5ATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte	BSZ065N06LS5ATMA1
Stato parte	Active
Tipo FET	-
Tecnologia	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	-
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TSDSON-8-FL
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
BSZ065N03LS	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8	Dettagli
BSZ065N03LSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8	Dettagli
BSZ065N06LS5ATMA1	Infineon Technologies	MV POWER MOS	Dettagli