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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › BSZ065N06LS5ATMA1
BSZ065N06LS5ATMA1

BSZ065N06LS5ATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
BSZ065N06LS5ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MV POWER MOS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BSZ065N06LS5ATMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
BSZ065N06LS5ATMA1.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
58756 pcs
Referenzpreis
USD 0.4491/pcs
Unser Preis
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BSZ065N06LS5ATMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BSZ065N06LS5ATMA1
Teilstatus Active
FET Typ -
Technologie -
Drain auf Source-Spannung (Vdss) -
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C -
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs -
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TSDSON-8-FL
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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