| Artikelnummer | BSZ065N03LS |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 40A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.1W (Ta), 26W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TSDSON-8-FL |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
|
BSZ013NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 32A 8SON | Einzelheiten |
|
BSZ014NE2LS5IFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON | Einzelheiten |
|
BSZ017NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 27A 8SON | Einzelheiten |
|
BSZ018NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 | Einzelheiten |
|
BSZ018NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 | Einzelheiten |
|
BSZ018NE2LSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 | Einzelheiten |
|
BSZ018NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 | Einzelheiten |
|
BSZ019N03LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8 | Einzelheiten |
|
BSZ019N03LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8 | Einzelheiten |
 |
BSZ023N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8 | Einzelheiten |
