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BSZ065N03LSATMA1

BSZ065N03LSATMA1 - Infineon Technologies

品番: BSZ065N03LSATMA1
メーカー: Infineon Technologies
簡単な説明: MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: BSZ065N03LSATMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 554377 pcs
参考価格: USD 0.297/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

BSZ065N03LSATMA1 詳細な説明

品番	BSZ065N03LSATMA1
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	12A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	6.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	10nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	670pF @ 15V
FET機能	-
消費電力（最大）	2.1W (Ta), 26W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TSDSON-8-FL
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN
重量	-
原産国	-

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画像	品番	メーカー	説明	見る
	BSZ065N03LS	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8	詳細
	BSZ065N03LSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8	詳細
	BSZ065N06LS5ATMA1	Infineon Technologies	MV POWER MOS	詳細