BSZ065N03LSATMA1 - Infineon Technologies

номер части	BSZ065N03LSATMA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	12A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	10nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	670pF @ 15V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.1W (Ta), 26W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TSDSON-8-FL
Упаковка / чехол	8-PowerTDFN
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BSZ065N03LS	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8	подробности
BSZ065N03LSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8	подробности
BSZ065N06LS5ATMA1	Infineon Technologies	MV POWER MOS	подробности