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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › C2M0280120D
C2M0280120D

C2M0280120D - Cree/Wolfspeed

Artikelnummer
C2M0280120D
Hersteller
Cree/Wolfspeed
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
C2M0280120D PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
5892 pcs
Referenzpreis
USD 5.7/pcs
Unser Preis
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C2M0280120D detaillierte Beschreibung

Artikelnummer C2M0280120D
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1.25mA (Typ)
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 20.4nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 259pF @ 1000V
Vgs (Max) +25V, -10V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 62.5W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 370 mOhm @ 6A, 20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247-3
Paket / Fall TO-247-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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