C2M0045170P detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
C2M0045170P |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
N-Channel |
| Technologie |
SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
1700V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
72A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
20V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
59 mOhm @ 50A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 18mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
188nC @ 20V |
| Vgs (Max) |
+25V, -10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
3672pF @ 1000V |
| FET-Eigenschaft |
- |
| Verlustleistung (Max) |
520W (Tc) |
| Betriebstemperatur |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Through Hole |
| Lieferantengerätepaket |
TO-247-4L |
| Paket / Fall |
TO-247-4 |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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