C2M0045170P - Cree/Wolfspeed

Artikelnummer	C2M0045170P
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	1700V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	72A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	59 mOhm @ 50A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 18mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	188nC @ 20V
Vgs (Max)	+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3672pF @ 1000V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	520W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247-4L
Paket / Fall	TO-247-4
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
C2M0025120D	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247	Einzelheiten
C2M0040120D	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247	Einzelheiten
C2M0045170D	Cree/Wolfspeed	MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247	Einzelheiten
C2M0045170P	Cree/Wolfspeed	ZFET SIC DMOSFET 1700V VDS RDS	Einzelheiten
C2M0080120D	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247	Einzelheiten
C2M0080170P	Cree/Wolfspeed	ZFET SIC DMOSFET 1700V VDS RDS	Einzelheiten
C2M0160120D	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247	Einzelheiten
C2M0280120D	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3	Einzelheiten