| 品番 | C2M0045170P |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1700V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 72A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 59 mOhm @ 50A, 20V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 18mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 188nC @ 20V |
| Vgs（最大） | +25V, -10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3672pF @ 1000V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 520W (Tc) |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-4L |
| パッケージ/ケース | TO-247-4 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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