C2M0045170P - Cree/Wolfspeed

Número de pieza	C2M0045170P
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	1700V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	72A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	59 mOhm @ 50A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 18mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	188nC @ 20V
Vgs (Max)	+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3672pF @ 1000V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	520W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-247-4L
Paquete / caja	TO-247-4
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
C2M0025120D	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247	Detalles
C2M0040120D	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247	Detalles
C2M0045170D	Cree/Wolfspeed	MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247	Detalles
C2M0045170P	Cree/Wolfspeed	ZFET SIC DMOSFET 1700V VDS RDS	Detalles
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C2M0080170P	Cree/Wolfspeed	ZFET SIC DMOSFET 1700V VDS RDS	Detalles
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C2M0280120D	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3	Detalles