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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › C2M0280120D
C2M0280120D

C2M0280120D - Cree/Wolfspeed

Número de pieza
C2M0280120D
Fabricante
Cree/Wolfspeed
Breve descripción
MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
C2M0280120D Navegación en línea de PDF
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-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
5892 pcs
Precio de referencia
USD 5.7/pcs
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C2M0280120D Descripción detallada

Número de pieza C2M0280120D
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1.25mA (Typ)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 20.4nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 259pF @ 1000V
Vgs (Max) +25V, -10V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 370 mOhm @ 6A, 20V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-247-3
Paquete / caja TO-247-3
Peso -
País de origen -

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