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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › C2M0280120D
C2M0280120D

C2M0280120D - Cree/Wolfspeed

Numero di parte
C2M0280120D
fabbricante
Cree/Wolfspeed
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
C2M0280120D Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
5892 pcs
Prezzo di riferimento
USD 5.7/pcs
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C2M0280120D Descrizione dettagliata

Numero di parte C2M0280120D
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1.25mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.4nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 259pF @ 1000V
Vgs (massimo) +25V, -10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 370 mOhm @ 6A, 20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3
Pacchetto / caso TO-247-3
Peso -
Paese d'origine -

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