C2M0280120D Descrizione dettagliata
| Numero di parte |
C2M0280120D |
| Stato parte |
Active |
| Tipo FET |
N-Channel |
| Tecnologia |
SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) |
1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
10A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.8V @ 1.25mA (Typ) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
20.4nC @ 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
259pF @ 1000V |
| Vgs (massimo) |
+25V, -10V |
| Caratteristica FET |
- |
| Dissipazione di potenza (max) |
62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
370 mOhm @ 6A, 20V |
| temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio |
Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore |
TO-247-3 |
| Pacchetto / caso |
TO-247-3 |
| Peso |
- |
| Paese d'origine |
- |
PRODOTTI CORRELATI PER C2M0280120D
