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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › C2M0080170P
C2M0080170P

C2M0080170P - Cree/Wolfspeed

品番
C2M0080170P
メーカー
Cree/Wolfspeed
簡単な説明
ZFET SIC DMOSFET 1700V VDS RDS
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
C2M0080170P PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4522 pcs
参考価格
USD 36.4/pcs
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C2M0080170P 詳細な説明

品番 C2M0080170P
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 SiCFET (Silicon Carbide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 1700V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 125 mOhm @ 28A, 20V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 10mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 120nC @ 20V
Vgs（最大） +25V, -10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2250pF @ 1000V
FET機能 -
消費電力（最大） 277W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247-4L
パッケージ/ケース TO-247-4
重量 -
原産国 -

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