C2M0080120D detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
C2M0080120D |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
N-Channel |
| Technologie |
SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
1200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
36A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 5mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
62nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
950pF @ 1000V |
| Vgs (Max) |
+25V, -10V |
| FET-Eigenschaft |
- |
| Verlustleistung (Max) |
192W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
98 mOhm @ 20A, 20V |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Through Hole |
| Lieferantengerätepaket |
TO-247-3 |
| Paket / Fall |
TO-247-3 |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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