C2M0080120D - Cree/Wolfspeed

Numéro d'article	C2M0080120D
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension de source (Vdss)	1200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	36A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	62nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	950pF @ 1000V
Vgs (Max)	+25V, -10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	98 mOhm @ 20A, 20V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247-3
Paquet / cas	TO-247-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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