C2M0045170D - Cree/Wolfspeed

Numéro d'article	C2M0045170D
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension de source (Vdss)	1700V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	72A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 18mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	188nC @ 20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3672pF @ 1kV
Vgs (Max)	+25V, -10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 50A, 20V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247-3
Paquet / cas	TO-247-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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