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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - HF › BLP8G27-5Z
BLP8G27-5Z

BLP8G27-5Z - Ampleon USA Inc.

Artikelnummer
BLP8G27-5Z
Hersteller
Ampleon USA Inc.
Kurze Beschreibung
RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BLP8G27-5Z PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
BLP8G27-5Z.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3812 pcs
Referenzpreis
USD 7.099/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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BLP8G27-5Z detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BLP8G27-5Z
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS
Frequenz 2.14GHz
Gewinnen 18dB
Spannung - Test 28V
Aktuelle Bewertung -
Rauschzahl -
Aktueller Test 55mA
Leistung 750mW
Spannung - Bewertet 65V
Paket / Fall 16-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 16-HVSON (4x6)
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR BLP8G27-5Z

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
BLP8G05S-200GY BLP8G05S-200GY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042 Einzelheiten
BLP8G05S-200Y BLP8G05S-200Y Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382 Einzelheiten
BLP8G10S-270PWY BLP8G10S-270PWY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12212 Einzelheiten
BLP8G10S-45PGJ BLP8G10S-45PGJ NXP USA Inc. TRANS LDMOS 45W 4HSOP Einzelheiten
BLP8G10S-45PGY BLP8G10S-45PGY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP Einzelheiten
BLP8G10S-45PJ BLP8G10S-45PJ NXP USA Inc. TRANS LDMOS 45W 4HSOPF Einzelheiten
BLP8G10S-45PY BLP8G10S-45PY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231 Einzelheiten
BLP8G20S-80PY BLP8G20S-80PY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231 Einzelheiten
BLP8G21S-160PVY BLP8G21S-160PVY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211 Einzelheiten
BLP8G27-10Z BLP8G27-10Z Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN Einzelheiten