| Número de pieza | BLP8G27-5Z |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | LDMOS |
| Frecuencia | 2.14GHz |
| Ganancia | 18dB |
| Voltaje - Prueba | 28V |
| Valoración actual | - |
| Figura de ruido | - |
| Actual - Prueba | 55mA |
| Salida de potencia | 750mW |
| Voltaje - Clasificación | 65V |
| Paquete / caja | 16-VDFN Exposed Pad |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 16-HVSON (4x6) |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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BLP8G05S-200GY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042 | Detalles |
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BLP8G05S-200Y | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382 | Detalles |
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BLP8G10S-270PWY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12212 | Detalles |
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BLP8G10S-45PGJ | NXP USA Inc. | TRANS LDMOS 45W 4HSOP | Detalles |
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BLP8G10S-45PGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP | Detalles |
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BLP8G10S-45PJ | NXP USA Inc. | TRANS LDMOS 45W 4HSOPF | Detalles |
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BLP8G10S-45PY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231 | Detalles |
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BLP8G20S-80PY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231 | Detalles |
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BLP8G21S-160PVY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211 | Detalles |
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BLP8G27-10Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN | Detalles |
