BLP8G27-5Z - Ampleon USA Inc.

Numéro d'article	BLP8G27-5Z
État de la pièce	Active
Type de transistor	LDMOS
La fréquence	2.14GHz
Gain	18dB
Tension - Test	28V
Note actuelle	-
Figure de bruit	-
Actuel - Test	55mA
Puissance - Sortie	750mW
Tension - Rated	65V
Paquet / cas	16-VDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur	16-HVSON (4x6)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
BLP8G05S-200GY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042	Détails
BLP8G05S-200Y	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382	Détails
BLP8G10S-270PWY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12212	Détails
BLP8G10S-45PGJ	NXP USA Inc.	TRANS LDMOS 45W 4HSOP	Détails
BLP8G10S-45PGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP	Détails
BLP8G10S-45PJ	NXP USA Inc.	TRANS LDMOS 45W 4HSOPF	Détails
BLP8G10S-45PY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231	Détails
BLP8G20S-80PY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231	Détails
BLP8G21S-160PVY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211	Détails
BLP8G27-10Z	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN	Détails