BLP8G27-5Z - Ampleon USA Inc.

номер части	BLP8G27-5Z
Статус детали	Active
Тип транзистора	LDMOS
частота	2.14GHz
Усиление	18dB
Напряжение - испытание	28V
Текущий рейтинг	-
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	55mA
Выходная мощность	750mW
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	16-VDFN Exposed Pad
Пакет устройств поставщика	16-HVSON (4x6)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BLP8G05S-200GY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042	подробности
BLP8G05S-200Y	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382	подробности
BLP8G10S-270PWY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12212	подробности
BLP8G10S-45PGJ	NXP USA Inc.	TRANS LDMOS 45W 4HSOP	подробности
BLP8G10S-45PGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP	подробности
BLP8G10S-45PJ	NXP USA Inc.	TRANS LDMOS 45W 4HSOPF	подробности
BLP8G10S-45PY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231	подробности
BLP8G20S-80PY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231	подробности
BLP8G21S-160PVY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211	подробности
BLP8G27-10Z	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN	подробности