| номер части | BLP8G10S-45PJ |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | LDMOS (Dual) |
| частота | 952.5MHz ~ 957.5MHz |
| Усиление | 20.8dB |
| Напряжение - испытание | 28V |
| Текущий рейтинг | - |
| Коэффициент шума | - |
| Текущий - Тест | 224mA |
| Выходная мощность | 2.5W |
| Напряжение - Номинальное напряжение | 65V |
| Упаковка / чехол | SOT-1223-1 |
| Пакет устройств поставщика | 4-HSOPF |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
BLP8G05S-200GY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042 | подробности |
 |
BLP8G05S-200Y | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382 | подробности |
|
BLP8G10S-270PWY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12212 | подробности |
|
BLP8G10S-45PGJ | NXP USA Inc. | TRANS LDMOS 45W 4HSOP | подробности |
 |
BLP8G10S-45PGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP | подробности |
|
BLP8G10S-45PJ | NXP USA Inc. | TRANS LDMOS 45W 4HSOPF | подробности |
 |
BLP8G10S-45PY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231 | подробности |
|
BLP8G20S-80PY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231 | подробности |
 |
BLP8G21S-160PVY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211 | подробности |
 |
BLP8G27-10Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN | подробности |
