BLP8G27-10Z - Ampleon USA Inc.

Número de pieza	BLP8G27-10Z
Estado de la pieza	Active
Tipo de transistor	LDMOS (Dual), Common Source
Frecuencia	2.14GHz
Ganancia	17dB
Voltaje - Prueba	28V
Valoración actual	-
Figura de ruido	-
Actual - Prueba	110mA
Salida de potencia	2W
Voltaje - Clasificación	65V
Paquete / caja	16-VDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor	16-HVSON (4x6)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
BLP8G05S-200GY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042	Detalles
BLP8G05S-200Y	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382	Detalles
BLP8G10S-270PWY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12212	Detalles
BLP8G10S-45PGJ	NXP USA Inc.	TRANS LDMOS 45W 4HSOP	Detalles
BLP8G10S-45PGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP	Detalles
BLP8G10S-45PJ	NXP USA Inc.	TRANS LDMOS 45W 4HSOPF	Detalles
BLP8G10S-45PY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231	Detalles
BLP8G20S-80PY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231	Detalles
BLP8G21S-160PVY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211	Detalles
BLP8G27-10Z	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN	Detalles