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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - HF › BLP8G10S-45PGY
BLP8G10S-45PGY

BLP8G10S-45PGY - Ampleon USA Inc.

Artikelnummer
BLP8G10S-45PGY
Hersteller
Ampleon USA Inc.
Kurze Beschreibung
RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BLP8G10S-45PGY PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
BLP8G10S-45PGY.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
250 pcs
Referenzpreis
USD 31.32/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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BLP8G10S-45PGY detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BLP8G10S-45PGY
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS (Dual), Common Source
Frequenz 952.5MHz ~ 957.5MHz
Gewinnen 20.8dB
Spannung - Test 28V
Aktuelle Bewertung -
Rauschzahl -
Aktueller Test 224mA
Leistung 2.5W
Spannung - Bewertet 65V
Paket / Fall 4-BESOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket 4-HSOP
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR BLP8G10S-45PGY

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
BLP8G05S-200GY BLP8G05S-200GY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042 Einzelheiten
BLP8G05S-200Y BLP8G05S-200Y Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382 Einzelheiten
BLP8G10S-270PWY BLP8G10S-270PWY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12212 Einzelheiten
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BLP8G10S-45PGY BLP8G10S-45PGY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP Einzelheiten
BLP8G10S-45PJ BLP8G10S-45PJ NXP USA Inc. TRANS LDMOS 45W 4HSOPF Einzelheiten
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